TS. Nguyễn Văn Huy

huy.nguyen@vnuk.edu.vn
(+84) 236 373 8399

TS. Nguyễn Văn Huy

Tổ trưởng Tổ Khoa Học và Công nghệ, Giảng viên

Giới thiệu

TS. Nguyễn Văn Huy gia nhập Viện Nghiên cứu và Đào tạo Việt-Anh (VNUK) vào cuối năm 2018 sau 17 năm học tập và làm việc ở nước ngoài. TS. Huy hy vọng sẽ đóng góp cho cộng đồng quê hương và giúp xây dựng VNUK trở thành một trường đại học tiêu chuẩn quốc tế.

Định hướng nghiên cứu của TS. Huy về các vật liệu bán dẫn ứng dụng trong điện tử, năng lượng mặt trời, cảm biến và các vật liệu ứng dụng trong công nghệ nano.

Quá trình giảng dạy và công tác

  • 2020 - nay: Tổ trưởng Tổ Khoa học và Công nghệ, Viện Nghiên cứu và Đào tạo Việt – Anh
  • 2018 - 2020: Giảng viên, Viện Nghiên cứu và Đào tạo Việt – Anh
  • 2015 - 2018: Kỹ sư phát triển, IQE.plc, Cardiff, UK
  • 2013 - 2015: Nghiên cứu sau tiến sĩ, Nhóm Nano-Si, Đại học Warwick, UK

Nghiên cứu khoa học

  • Thành viên – Chủ nhiệm đề tài : Đề tài ĐX NAFOSTED - Nghiên cứu chế tạo loại khẩu trang y tế mới để ngăn chặn các tác nhân lây bệnh qua đường hô hấp bao gồm Coronavirus chủng mới SARS-CoV-2
  • Thành viên: Đề tài VINIF - Phát triển các cửa sổ điện hóa thông minh mới cho ứng dụng trong tiết kiệm năng lượng của tòa nhà và chắn nhiệt trên cửa ô tô

Các bài báo, báo cáo khoa học quốc tế

  • Pablo Caño, Manuel Hinojosa, Huy Nguyen, Aled Morgan, David Fuertes Marrón, Iván García, AndrewJohnson, Ignacio Rey-Stolle (2020). Hybrid III-V/SiGe solar cells grown on Si substrates through reverse graded buffers. Solar Energy Materials and Solar Cells, 205, 110246
  • Huy Nguyen, V., Dobbie, A., Myronov, M., & Leadley, D. R. (2013). High quality relaxed germanium layers grown on (110) and (111) silicon substrates with reduced stacking fault formation. Journal of Applied Physics, 114:15, 154306. doi:10.1063/1.4825130
  • Myronov, M., Dobbie, A., Shah, V. A., Liu, X.-C., Nguyen, V. H., & Leadley, D. R. (2010). High Quality Strained Ge Epilayers on a Si0.2Ge0.8 / Ge / Si (100 )  Global Strain-Tuning Platform. Electrochemical and Solid-State Letters, 13:11, H388-H390.
  • Nguyen, V. H., Dobbie, A., Myronov, M., Norris, D. J., Walther, T., & Leadley, D. R. (2012). Epitaxial growth of relaxed germanium layers by reduced pressure chemical vapour deposition on (110) and (111) silicon substrates. Thin Solid Films, 520:8, 3222-3226.
  • Dobbie, A., Nguyen, V. H., Morris, R. J. H., Liu, X.-C., Myronov, M., & Leadley, D. R. (2012). Thermal Stability of Thin Compressively Strained Ge Surface Channels Grown on Relaxed Si0.2Ge0.8 Reverse-Graded Buffers. Journal of The Electrochemical Society, 159:5, H490-H496.
  • Qiu, Y., Nguyen, V. H., Dobbie, A., Myronov, M., & Walther, T. (2013). Calibration of thickness-dependent k -factors for germanium X-ray lines to improve energy-dispersive X-ray spectroscopy of SiGe layers in analytical transmission electron microscopy. Journal of Physics: Conference Series, 471:1, 012031.

Khen thưởng

  • 2010: Poster nghiên cứu sinh xuất sắc nhất năm 2010 tại Khoa Vật lý, Đại học Warwick
  • 2003: Giải thưởng Xuất sắc trong Cuộc thi Toán học Quốc gia ANZ tại New Zealand
  • 2000: Giải nhì trong Cuộc thi Vật lý Thực nghiệm dành cho học sinh trung học tại Đà Nẵng
  • 1999: Giải nhất Cuộc thi Vật lý Lý thuyết dành cho học sinh trung học tại Đà Nẵng

CÔNG NGHỆ NANO – VNUK

NGÀNH NGHỀ VÀ CHƯƠNG TRÌNH ĐÀO TẠO

Nhắn tin Fan page hoặc gọi (0236)36363178 để được tư vấn trực tiếp

    Verified by MonsterInsights